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IPP80N06S2L-05 |
TO-220-3 | Infineon Technologies | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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IPP80N06S2L-05参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 包装数量：500 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：55V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.8 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：230nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5700pF @ 25V 功率 - 最大值：300W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 薄膜电容器ECQ-E10562JF DC DC ConVE-B6W-CW-F1 电阻器网络，阵列741X163390JP 热敏电阻 - NTNB12MC0182KBA PMIC - 监控NCP302LSN43T1 PMIC - 稳压ISL6842IUZ-T 嵌入式 - 微控制MC56F8247VLH 电源输入 - 模块FN9264B-6-06 磁簧DRR-DTH65-75 逻辑 - 锁销MC74AC373DWG |
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